"Fujitsu" pristatė "ReRAM" atminties technologiją

Prieš porą dienų "Fujitsu Laboratories" paskelbė pasiekusi naujų laimėjimų rezistyvinės RAM (ReRAM) technologijoje. ReRAM yra mažomis energijos sąnaudomis pasižyminti pastovioji atmintis (analogas "Flash" atminčiai). Ji gaminama naudojant medžiagą, kuri keičia savo varžą ją veikiant elektros įtampa. Kompanija teigia pašalinusi kai kuriuos technologinius barjerus, trukdžiusius gaminti mažų matmenų mikroschemas. Trynimo ciklo metu vartojama srovė sumažinta iki 100 mikroamperų, ir tai atliekama per mažiau kaip 5 nanosekundes. "Fujitsu" žodžiais, produkto gamybos kaštai yra "pakankamai nedideli",o lyginant su ankstesniais bandymais atminties sparta padidėjo dešimteriopai.

"Fujitsu labs" aptiko, jog nikelio oksidą kombinuojant su titanu galima apriboti atmintį sudarančių tranzistorių suvartojamą srovę. Ar tokia technologija galėtų pakeisti šiuo metu naudojamą "Flash" tipo atmintį? Pagal techninius parametrus šios technologijos jau yra lygiaverčiai konkurentai Tačiau "Fujitsu" nurodė, jog jie neturi jokių planų artimiausiu metu tokį  pasiekimą diegti savo produktuose. Tikėtina, jog iki to reikės palaukti dar keletą metų, kol rinkoje atsiras atitinkamas poreikis.

   

Facebook komentarai