„Intel“ užbaigė 32 nanometrų technologinio proceso tobulinimą

„Intel“ sėkmingai baigė 32 nanometrų lustų gamybos technologijos plėtojimo procesą. Bendrovė pagal planą vykdo pasiruošimo naujos kartos lustų gamybai darbus ir 2009 m. pabaigoje rengiasi pristatyti dar mažiau energijos vartosiančius bei daugiau galios turėsiančius procesorius.

Detalias 32 nanometrų (1 nanometras – viena milijardinė metro dalis) tikslumo proceso specifikacijas „Intel“ rengiasi pristatyti San Franciske vyksiančiame Tarptautiniame elektroninių įrenginių gamintojų susitikime (International Electron Devices Meeting, IEDM). Sėkmingai vykdomi pažangių technologijų tobulinimo darbai atspindi ambicingą „Intel“ pasiryžimą žengti raidos priešakyje.

Kompanijos planuose numatyta kas 12 mėnesių pristatyti rinkai nauja architektūra grįstą, naudojant pažangius procesus gaminamą, lustų kartą. 32 nanometrų lustų gamybos pradžia kitais metais ženklins ketvirtuosius iš eilės „Intel“ darbo pagal numatytą planą metus.

32 nanometrų technologijos apraše bus pristatoma antrosios kartos „high k + metal gate“ 193 nm gramzdinimo litografijos būdu sujungianti lusto sluoksnius ir patobulinanti tranzistorių įtempimą technologija. Tai leis padidinti „Intel“ procesorių galingumą ir energijos vartojimo efektyvumą. Bendrovės sukurtas 32 nanometrų gamybos procesas leis pasiekti didžiausią spartą ir tranzitorių tankį rinkoje.

„Mūsų proceso pažangumas leis staliniams, nešiojamiems kompiuteriams ir tarnybinėms stotims su „Intel“ procesoriais ir toliau išlikti sparta bei išskirtine akumuliatorių talpa pasižyminčiu pasirinkimu. Šių metų patirtis rodo, kad nuosekliai plėtojama gamybos strategija leidžia sukurti naujas produktų linijas mobiliems interneto įrenginiams, namų elektronikai ir nešiojamiems kompiuteriems“, - teigė Markas Bohras (Mark Bohr), „Intel“ vyresnysis partneris ir Architektūros bei integracijos grupės vadovas.

IEDM metu „Intel“ pristatys ir kompiuterio viename 45 nanometrų technologijos luste viziją, susiliejančiais puslaidininkiais grįstus tranzistorius, pamatinius 45 nm architektūros lustų spartos didinimo principus, cheminės-mechaninės kilmės 45 nanometrų mazgų dengimo ir silicio fotoninių moduliatorių integravimo technologijas. „Intel“ taip pat trumpai apžvelgs 22 nm technologinio proceso integruotos grandinės klasę (angl. complementary metal-oxide-semiconductor, CMOS).

   

Facebook komentarai